MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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TQMNB300

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,8
  • Hersteller: Eris
TQMNB300

TQMNC500

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 500
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0,6
  • Hersteller: Eris
TQMNC500

TUMNC450

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 450
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0,8
  • Hersteller: Eris
TUMNC450

TUMNB300

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,8
  • Hersteller: Eris
TUMNB300

TUMNG30H

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,3
  • Hersteller: Eris
TUMNG30H

TVMNB350

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 350
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,5
  • Hersteller: Eris
TVMNB350

S9MNB022

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
S9MNB022

D1MNM9P2

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
D1MNM9P2

D1MNM115

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 115
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 125
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
D1MNM115

TVMNG30H

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,3
  • Hersteller: Eris
TVMNG30H

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