MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P5MND2P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MND2P8

P5MND2P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,5
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 150
  • Hersteller: Eris
P5MND2P5

P5MND6P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 50
  • Hersteller: Eris
P5MND6P5

P5MND5P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 90
  • Hersteller: Eris
P5MND5P5

P5MNG021

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 21
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 44
  • Hersteller: Eris
P5MNG021

P5MNG2P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3,2
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 140
  • Hersteller: Eris
P5MNG2P0

P5MNM7P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11.2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 65
  • Hersteller: Eris
P5MNM7P2

P5MNK7P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7,2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
P5MNK7P2

P5MPB2P3

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2,6
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -90
  • Hersteller: Eris
P5MPB2P3

P5MPC8P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -60
  • Hersteller: Eris
P5MPC8P5

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