MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P5MBD012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11,5 / 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16 / 45
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42 / -27
  • Hersteller: Eris
P5MBD012

S8MBG030

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30 / 48
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 36 / 68
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5,9 / -4,7
  • Hersteller: Eris
S8MBG030

S8MBD032

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32 / 40
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 45 / 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6,7 / -7,2
  • Hersteller: Eris
S8MBD032

S8MBG054

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 54 / 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63 / 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5 / -3,5
  • Hersteller: Eris
S8MBG054

P6MNC4P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,5 / 4,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14,5 / 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 43 / 85
  • Hersteller: Eris
P6MNC4P2

P6MNC6P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9 / 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13 / 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 55 / 80
  • Hersteller: Eris
P6MNC6P0

D1MNM047

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 47
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 22
  • Hersteller: Eris
D1MNM047

TNMNG30H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TNMNG30H

D2MNK3P2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4,6
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 180
  • Hersteller: Eris
D2MNK3P2

N3MNB8P0

  • Package: DFN3X3
  • Configuration: Com. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 24
  • Hersteller: Eris
N3MNB8P0

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