MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P3MPC8P5

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -50
  • Hersteller: Eris
P3MPC8P5

P3MPD014

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 14
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 21
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -38
  • Hersteller: Eris
P3MPD014

P5MNC012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P5MNC012

P5MNC1P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2,2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 240
  • Hersteller: Eris
P5MNC1P2

P5MNC1P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1,6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.,4
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 130
  • Hersteller: Eris
P5MNC1P6

P5MNC2P4

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3,3
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 150
  • Hersteller: Eris
P5MNC2P4

P5MNC5P5A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
P5MNC5P5A

P5MNC4P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 85
  • Hersteller: Eris
P5MNC4P0

P5MNC5P5B

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
P5MNC5P5B

P5MNC8P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
P5MNC8P5

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