MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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S8MNM020

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 18
  • Hersteller: Eris
S8MNM020

N8MPB017

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 17
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -11,5
  • Hersteller: Eris
N8MPB017

P3MPD042

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 42
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 52
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -18
  • Hersteller: Eris
P3MPD042

T3SNAR070

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1700
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 70
  • VGS max, [V]: 25
  • ID @T=25°C [A]: 70
  • Hersteller: Eris
T3SNAR070

P5MNC0P7

  • Package: PPAK5x6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0,7
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 250
  • Hersteller: Eris
P5MNC0P7

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