MOSFETs

Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden. Der Hersteller ERIS bietet eine breite Palette von Niederspannungs-MOSFETs an.

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P5MNM7P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11.2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 65
  • Hersteller: Eris
P5MNM7P2

P5MNK7P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7,2
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
P5MNK7P2

P5MPB2P3

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2,6
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -90
  • Hersteller: Eris
P5MPB2P3

P5MPC8P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -60
  • Hersteller: Eris
P5MPC8P5

S8MNC013

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 20
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 10
  • Hersteller: Eris
S8MNC013

S8MNC018

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 9
  • Hersteller: Eris
S8MNC018

S8MND013

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
S8MND013

S8MPC016A

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 16
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
S8MPC016A

S8MNM024

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 24
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
S8MNM024

S8MPC4P8

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7,8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -24
  • Hersteller: Eris
S8MPC4P8

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