RF-Schalter

Nisshinbo Micro Devices bietet RF-Schalter an, die verschiedene Kommunikationsanwendungen wie 5G, Wi-Fi 6/6E und so weiter abdecken. Die Vorteile von Hochleistungsschalter sind niedrige Einfügungsdämpfung, hohe Isolierung und hohe Linearität auch im Hochfrequenzbereich durch unseren einzigartigen GaAs-Prozess. Darüber hinaus wird durch integrierte ESD-Schutzelemente eine hervorragende ESD-Robustheit erreicht. Nisshinbo bietet natürlich auch Produkte für die Automobilindustrie an. Darüber hinaus entwickelt man RF-Bauteile im SOI-Verfahren.

Es werden 10 von 86 Produkten angezeigt.

NT1821GVAE1S

  • Package (RF-Switch): DFN6
  • Features: 1.0 to 7.125 GHz High Isolation SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 31
  • Insertion Loss [dB]: Typ. 0.60 dB @ 2.4 to 2.5 GHz 0.50 dB @ 4.9 to 5.9 GHz 0.58 dB @ 5.9 to 7.125 GHz
  • Isolation [dB]: Typ. 40 dB @ 2.4 to 2.5 GHz 38 dB @ 4.9 to 5.9 GHz 42 dB @ 5.9 to 7.125 GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NT1821GVAE1S

NT1819NAAE2S

  • Features: Absorptive High Isolation SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 31
  • Insertion Loss [dB]: Typ. 0.70/0.80/0.85/0.90/1.2 dB @0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz
  • Isolation [dB]: Typ. 70/62/60/55/51 dB @ 0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NT1819NAAE2S

NT1822GVAE1S

  • Package (RF-Switch): DFN6
  • Features: 1.0 to 7.125 GHz High Isolation SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 31
  • Insertion Loss [dB]: 0.60 dB@2.4 to 2.5 GHz
  • Isolation [dB]: Typ. 40 dB@2.4 to 2.5 GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NT1822GVAE1S

SGM11102G

  • Package (RF-Switch): DFN6
  • Features: SPDT Switch for High Power Applications
  • P-1dB [dBm]: 39
  • Insertion Loss [dB]: 0,3@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 30@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11102G

SGM11103S

  • Package (RF-Switch): LGA10
  • Features: High Isolation SP3T RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 30
  • Insertion Loss [dB]: 0,56@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 50@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11103S

SGM11102S

  • Package (RF-Switch): LGA6
  • Features: High Isolation SPDT RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 27
  • Insertion Loss [dB]: 0,6@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 55@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11102S

SGM11104S

  • Package (RF-Switch): LGA14
  • Features: High Isolation SP4T RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 30
  • Insertion Loss [dB]: 0,49@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 46@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11104S

SGM11108M

  • Package (RF-Switch): QFN14
  • Features: SP8T LTE Switch with MIPI RFFE Interface
  • P-1dB [dBm]: 27
  • Insertion Loss [dB]: 0,65@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 30@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11108M

SGM11106C

  • Package (RF-Switch): QFN14
  • Features: SP6T LTE Switch with MIPI RFFE Interface
  • P-1dB [dBm]: 27
  • Insertion Loss [dB]: 0,65@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 20@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11106C

SGM11112M

  • Package (RF-Switch): QFN20
  • Features: SP12T LTE Switch with MIPI RFFE Interface
  • P-1dB [dBm]: 26
  • Insertion Loss [dB]: 0,75@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 31@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11112M
Package

P-1dB [dBm]

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