Wonach möchten Sie suchen?

Es gibt 20948 Ergebnisse. Pro Seite werden 25 angezeigt.

• CRD S-272T

  • Package: SOD-123FL
  • IP typ.[mA]: 2,7 mA
  • Ip [mA]: 2,28 mA ... 3,1 mA
  • V [V]: 100 V
  • T [°C]: ... 150 °C

• CRD S-183T

  • Package: SOD-123FL
  • IP typ.[mA]: 18 mA
  • Ip [mA]: 16 mA ... 20 mA
  • V [V]: 50 V
  • T [°C]: -40 °C ... 150 °C

• CRD S-153T

  • Package: SOD-123FL
  • IP typ.[mA]: 15 mA
  • Ip [mA]: 12 mA ... 18 mA
  • V [V]: 50 V
  • T [°C]: -40 °C ... 150 °C

• CRD S-102T

  • Package: SOD-123FL
  • IP typ.[mA]: 1 mA
  • Ip [mA]: 0,88 mA ... 1,3 mA
  • V [V]: 100 V
  • T [°C]: -40 °C ... 150 °C

• CRD S-103T

  • Package: SOD-123FL
  • IP typ.[mA]: 10 mA
  • Ip [mA]: 8 mA ... 12,4 mA
  • V [V]: 50 V
  • T [°C]: -40 °C ... 150 °C

• CRD E-701

  • Package: DO-35
  • IP typ.[mA]: 0,7 mA
  • Ip [mA]: 0,6 mA ... 0,9 mA
  • V [V]: 100 V
  • T [°C]: -30 °C ... 150 °C

• CRD E-452

  • Package: DO-35
  • IP typ.[mA]: 4,5 mA
  • Ip [mA]: 3,9 mA ... 5,1 mA
  • V [V]: 50 V
  • T [°C]: -30 °C ... 150 °C

• CRD E-352

  • Package: DO-35
  • IP typ.[mA]: 3,5 mA
  • Ip [mA]: 3 mA ... 4,1 mA
  • V [V]: 50 V
  • T [°C]: ... 150 °C

• CRD E-202

  • Package: DO-35
  • IP typ.[mA]: 2 mA
  • Ip [mA]: 1,68 mA ... 2,3 mA
  • V [V]: 100 V
  • T [°C]: -30 °C ... 150 °C

• CRD E-153

  • Package: DO-35
  • IP typ.[mA]: 15 mA
  • Ip [mA]: 12 mA ... 18 mA
  • V [V]: 50 V
  • T [°C]: -30 °C ... 150 °C

• CRD E-123

  • Package: DO-35
  • IP typ.[mA]: 12 mA
  • Ip [mA]: 9,6 mA ... 14,4 mA
  • V [V]: 50 V
  • T [°C]: -30 °C ... 150 °C

• CRD E-103

  • Package: DO-35
  • IP typ.[mA]: 10 mA
  • Ip [mA]: 8 mA ... 12,4 mA
  • V [V]: 50 V
  • T [°C]: -30 °C ... 150 °C

• P5MBD012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11,5 / 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16 / 45
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42 / -27

• MOSFETs

  Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit...

• S8MBG054

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 54 / 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63 / 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5 / -3,5

• D1MNM047

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 47
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 22

• TNMNG30H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3

• N8MNB013

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 9.9

• N8MPB028

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -8.5

• NDMNC010

  • Package: DFN5X6
  • Configuration: 4 IN 1
  • MOSFET Type: N+N+N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35

• N9MNC030

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 46
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5

• P3MNC012A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42

• P3MNC013

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35

• P3MNC3P8

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 80

• P3MNC7P2

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 54