RF-Schalter

Nisshinbo Micro Devices bietet RF-Schalter an, die verschiedene Kommunikationsanwendungen wie 5G, Wi-Fi 6/6E und so weiter abdecken. Die Vorteile von Hochleistungsschalter sind niedrige Einfügungsdämpfung, hohe Isolierung und hohe Linearität auch im Hochfrequenzbereich durch unseren einzigartigen GaAs-Prozess. Darüber hinaus wird durch integrierte ESD-Schutzelemente eine hervorragende ESD-Robustheit erreicht. Nisshinbo bietet natürlich auch Produkte für die Automobilindustrie an. Darüber hinaus entwickelt man RF-Bauteile im SOI-Verfahren.

Es werden 6 von 86 Produkten angezeigt.

SGM11102W

  • Package (RF-Switch): SC70-6
  • Features: SPDT Switch for High Power Applications
  • P-1dB [dBm]: 38
  • Insertion Loss [dB]: 0,46@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 29@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11102W

SGM72008

  • Package (RF-Switch): QFN14
  • Features: SP8T Diversity RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 30
  • Insertion Loss [dB]: 0,6@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 25@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM72008

SGM72004A

  • Package (RF-Switch): LGA9
  • Features: High Linearity SP4T RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 27
  • Insertion Loss [dB]: 0,4@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 25@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM72004A

SGM72004B

  • Package (RF-Switch): QFN14
  • Features: SP4T Diversity RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 30
  • Insertion Loss [dB]: 0,6@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 25@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM72004B

SGM11108E

  • Package (RF-Switch): QFN14
  • Features: High Power SP8T RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 37,5
  • Insertion Loss [dB]: 0,7@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 30@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11108E

SGM11102F

  • Package (RF-Switch): DFN6
  • Features: High Linearity SPDT RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 33
  • Insertion Loss [dB]: 0,4@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 28@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11102F

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