Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

TNMNF16H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 55
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1,6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2.5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,36
  • Hersteller: Eris
TNMNF16H

P5MNC7P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
P5MNC7P0

P3MNC010

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13,8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 38
  • Hersteller: Eris
P3MNC010

S8MNG050A

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5,2
  • Hersteller: Eris
S8MNG050A

TUMBB350

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 20 / -20
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 350 / 600
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 350
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,72 / -0,53
  • Hersteller: Eris
TUMBB350

N4MNC011

  • Package: DFN3X3A
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 9
  • Hersteller: Eris
N4MNC011

S8MPD035

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 35
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -6
  • Hersteller: Eris
S8MPD035

P5MNM8P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 91
  • Hersteller: Eris
P5MNM8P0

TYMNB032

  • Package: TSOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 32
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 4,31
  • Hersteller: Eris
TYMNB032

T2MNAB12H

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1200
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 7
  • Hersteller: Eris
T2MNAB12H