Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

D1MPG048

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 48
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 65
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -16
  • Hersteller: Eris
D1MPG048

S8MNG040

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 40
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 47
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5
  • Hersteller: Eris
S8MNG040

TLMNB300

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 1,45
  • Hersteller: Eris
TLMNB300

P5MNM020

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
P5MNM020

D1MNG6P0

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 75
  • Hersteller: Eris
D1MNG6P0

P5MNC5P1

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
P5MNC5P1

P5MNM4P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6,7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
P5MNM4P5

TNMNB027

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 27
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
TNMNB027

S8MPC017

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 17
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
S8MPC017

TNMPG114

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 114
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 130
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -2,4
  • Hersteller: Eris
TNMPG114