Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 2556 Produkten angezeigt.

TVMPB420

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 420
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: -0,7
  • Hersteller: Eris
TVMPB420

D1MNM200

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 200
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 210
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
D1MNM200

P3MNM115

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 115
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 120
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 10
  • Hersteller: Eris
P3MNM115

D1MNM100

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 113
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
D1MNM100

TVMNG30H

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,3
  • Hersteller: Eris
TVMNG30H

S9MPC016

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 16
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
S9MPC016

P5MPM050

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 55
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -8
  • Hersteller: Eris
P5MPM050

D1MNAB25H

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2500
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 4
  • Hersteller: Eris
D1MNAB25H

I2MNAB13H

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1300
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 7
  • Hersteller: Eris
I2MNAB13H

D1MNAB13H

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1300
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 7
  • Hersteller: Eris
D1MNAB13H