Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 2556 Produkten angezeigt.

TNMNC033

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 33
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,6
  • Hersteller: Eris
TNMNC033

TNMPC032

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 38
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -4,8
  • Hersteller: Eris
TNMPC032

TPMNG30H

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,3
  • Hersteller: Eris
TPMNG30H

TPMNC035

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 35
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 46
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 1,8
  • Hersteller: Eris
TPMNC035

TQMNG30H

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,3
  • Hersteller: Eris
TQMNG30H

TRMNB300

  • Package: SOT-723
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,8
  • Hersteller: Eris
TRMNB300

TUMNC450

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 450
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0,8
  • Hersteller: Eris
TUMNC450

TUMNB300

  • Package: SOT-363
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,8
  • Hersteller: Eris
TUMNB300

TVMPB650

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 650
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: -0,25
  • Hersteller: Eris
TVMPB650

S9MPB016

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -11
  • Hersteller: Eris
S9MPB016