Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

TVMPB650

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 650
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: -0,25
  • Hersteller: Eris
TVMPB650

TVMNB350

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 350
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 0,5
  • Hersteller: Eris
TVMNB350

D1MNM9P2

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
D1MNM9P2

P3MNM014

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 14.4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNM014

P3MNM115

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 115
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 120
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 10
  • Hersteller: Eris
P3MNM115

D1MNM100

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 113
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
D1MNM100

ER3909

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 55
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -7
  • Hersteller: Eris
ER3909

S9MPC016

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 16
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
S9MPC016

S9MPA021

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -16
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 21.1
  • VGS max, [V]: ±16
  • ID @T=25°C [A]: -8
  • Hersteller: Eris
S9MPA021

D1MNAB25H

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2500
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 4
  • Hersteller: Eris
D1MNAB25H