Pfadnavigation
Es gibt 21339 Ergebnisse. Pro Seite werden 25 angezeigt.
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 5,6 mA
Ip [mA]: 5 mA ... 6,5 mA
V [V]: 50 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 4,5 mA
Ip [mA]: 3,9 mA ... 5,1 mA
V [V]: 50 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 0,5 mA
Ip [mA]: 0,4 mA ... 0,6 mA
V [V]: 100 V
T [°C]: ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 3,5 mA
Ip [mA]: 3 mA ... 4,1 mA
V [V]: 50 V
T [°C]: ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 2,7 mA
Ip [mA]: 2,28 mA ... 3,1 mA
V [V]: 100 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 0,3 mA
Ip [mA]: 0,2 mA ... 0,4 mA
V [V]: 100 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 2 mA
Ip [mA]: 1,68 mA ... 2,3 mA
V [V]: 100 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 15 mA
Ip [mA]: 12 mA ... 18 mA
V [V]: 50 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 1,5 mA
Ip [mA]: 1,28 mA ... 1,7 mA
V [V]: 100 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 12 mA
Ip [mA]: 9,6 mA ... 14,4 mA
V [V]: 50 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 1 mA
Ip [mA]: 0,88 mA ... 1,3 mA
V [V]: 100 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 10 mA
Ip [mA]: 8 mA ... 12,4 mA
V [V]: 50 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: DO-35
IP typ.[mA]: 0,1 mA
Ip [mA]: 0,05 mA ... 0,21 mA
V [V]: 100 V
T [°C]: -30 °C ... 150 °C
Package: PPAK5X6
Configuration: Dual
MOSFET Type: N+P
VDS [V]: 40 / -40
RDS(ON) @10V [mΩ]: 11,5 / 30
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16 / 45
VGS max, [V]: ±20
ID @T=25°C [A]: 42 / -27
Ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (kurz MOSFET) ist eine Art Feldeffekttransistor (FET), der meist durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Er hat ein isoliertes Gate, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Bauelements bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit in Abhängigkeit...
Package: SOP-8
Configuration: Dual
MOSFET Type: N+P
VDS [V]: 60 / -60
RDS(ON) @10V [mΩ]: 30 / 48
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 36 / 68
VGS max, [V]: ±20
ID @T=25°C [A]: 5,9 / -4,7
Package: SOP-8
Configuration: Dual
MOSFET Type: N+P
VDS [V]: 40 / -40
RDS(ON) @10V [mΩ]: 32 / 40
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 45 / 60
VGS max, [V]: ±20
ID @T=25°C [A]: 6,7 / -7,2
Package: SOP-8
Configuration: Dual
MOSFET Type: N+P
VDS [V]: 60 / -60
RDS(ON) @10V [mΩ]: 54 / 105
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63 / 145
VGS max, [V]: ±20
ID @T=25°C [A]: 4,5 / -3,5
Package: PPAK5X6
Configuration: Asym. Dual
MOSFET Type: N+N
VDS [V]: 30
RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,5 / 4,2
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14,5 / 6
VGS max, [V]: ±20
ID @T=25°C [A]: 43 / 85
Package: PPAK5X6
Configuration: Asym. Dual
MOSFET Type: N+N
VDS [V]: 30
RDS(ON) @10V [mΩ]: 9 / 6
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13 / 9
VGS max, [V]: ±20
ID @T=25°C [A]: 55 / 80
Package: SOT-23
Configuration: Single
MOSFET Type: N
VDS [V]: 60
RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
VGS max, [V]: ±20
ID @T=25°C [A]: 0.3
Package: TO-252 (D-PAK)
Configuration: Single
MOSFET Type: N
VDS [V]: 100
RDS(ON) @10V [mΩ]: 47
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
VGS max, [V]: ±20
ID @T=25°C [A]: 22
Package: TO-263 (D2-PAK)
Configuration: Single
MOSFET Type: N
VDS [V]: 80
RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,2
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4,6
VGS max, [V]: +20 / -12
ID @T=25°C [A]: 180
Package: DFN3X3
Configuration: Com. Dual
MOSFET Type: N+N
VDS [V]: 20
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8
VGS max, [V]: ±12
ID @T=25°C [A]: 24
Package: DFN2X2-6L
Configuration: Single
MOSFET Type: N
VDS [V]: 20
RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
VGS max, [V]: ±10
ID @T=25°C [A]: 9.9