IGBTs
Ein IGBT, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (engl. Insulated Gate Bipolar Transistor), ist ein elektronisches Bauelement, das die Eigenschaften zweier anderer Transistortypen vereint: eines MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors), der eine einfache Steuerung bei geringem Stromverbrauch und schnellem Schaltverhalten bietet, und eines Bipolartransistors (BJT), der eine hohe Strombelastbarkeit und geringe Leitungsverluste aufweist.
Ein IGBT besteht in der Regel aus einem MOSFET-Eingangsteil (für die Ansteuerung über eine isolierte Gate-Elektrode) und einem Bipolartransistor-Ausgangsteil (für den Hochstromtransport).
Er vereint somit die Vorteile beider Transistortypen: die einfache Gate-Steuerung eines MOSFET und den niedrigen Durchlasswiderstand bei hohen Strömen eines BJT.
Die Vorteile sind ihr hohes Schaltvermögen (Verarbeitung hoher Spannungen und Ströme), ihr Wirkungsgrad bei mittleren bis niedrigen Schaltfrequenzen und ihre geringe Antriebsleistung.
IGBTs werden daher hauptsächlich in der Leistungselektronik eingesetzt, z. B. in Frequenzumrichtern für Elektromotoren, Wechselrichtern in Photovoltaikanlagen, Elektrozügen, Elektroautos und Ladestationen, Schweißgeräten und USV-Anlagen.
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