Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

EBRP10150CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10150CD2

EBRP10100CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,83 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10100CD2

EBRT30L60CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 30 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,5 V
  • Hersteller: Eris
EBRT30L60CD2

EBRT10E60CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,5 V
  • Hersteller: Eris
EBRT10E60CD2

EBRP5L200B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,87 V
  • Hersteller: Eris
EBRP5L200B

EBRT3E45AFC

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,43 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E45AFC

EBRT3M40P

  • Package: SOD-123F
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 30 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3M40P

EBRT5E200C

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,82 V
  • Hersteller: Eris
EBRT5E200C

EBRT8M45B

  • Package: DO-214AA (SMB)
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 8 A
  • IFSM max. [A]: 50 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,53 V
  • Hersteller: Eris
EBRT8M45B

EBRT20E120CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 120 V
  • IF [A]: 20 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,79 V
  • Hersteller: Eris
EBRT20E120CD2