Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

A1MNK2P0

  • Package: TOLLA-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 310
  • Hersteller: Eris
A1MNK2P0

P3MNM018

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNM018

P5MNP012A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNP012A

P5MNK4P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 130
  • Hersteller: Eris
P5MNK4P0

P5MNM9P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 68
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P9

P5MNN7P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 120
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 90
  • Hersteller: Eris
P5MNN7P5

S8MND3P2

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5,2
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 22
  • Hersteller: Eris
S8MND3P2

S8MPG105

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -4
  • Hersteller: Eris
S8MPG105

S8MNG054

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 54
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5
  • Hersteller: Eris
S8MNG054

T2MNS022

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 78
  • Hersteller: Eris
T2MNS022