Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

LFMNK1P9

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 85
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1,9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 313
  • Hersteller: Eris
LFMNK1P9

I2MNAA380

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 600
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 380
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 9,1
  • Hersteller: Eris
I2MNAA380

TNMNM55H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5500
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6500
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,3
  • Hersteller: Eris
TNMNM55H

TNMNM60H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,3
  • Hersteller: Eris
TNMNM60H

TNMPB165

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 165
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -2,3
  • Hersteller: Eris
TNMPB165

TNMNB065

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 65
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 2,3
  • Hersteller: Eris
TNMNB065

P3MNG6P0

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 10
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 66
  • Hersteller: Eris
P3MNG6P0

TNMNB035

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 35
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
TNMNB035

TKMNM095

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 95
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 110
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6,5
  • Hersteller: Eris
TKMNM095

S8MBM120

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 100 / -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 120 / 300
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 150 / 340
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8,8 / -4,8
  • Hersteller: Eris
S8MBM120