Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

TNMPC032

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 38
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -4,8
  • Hersteller: Eris
TNMPC032

TMMNC024

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 24
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 34
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6,5
  • Hersteller: Eris
TMMNC024

TNMPB033

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 33
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -5,8
  • Hersteller: Eris
TNMPB033

D1MNM200

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 200
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 210
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
D1MNM200

P3MNM010

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10.3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNM010

D1MNM9P2

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
D1MNM9P2

S9MPA021

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -16
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 21.1
  • VGS max, [V]: ±16
  • ID @T=25°C [A]: -8
  • Hersteller: Eris
S9MPA021

S9MPC016

  • Package: TSSOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 16
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
S9MPC016

P5MPM050

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 55
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -8
  • Hersteller: Eris
P5MPM050

D1MNM100

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 113
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
D1MNM100