Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

P6MNC9P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P6MNC9P0

P3MPC028

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 28
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -25,7
  • Hersteller: Eris
P3MPC028

P3MBC011

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11 / 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 17,6 / 32
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30 / -20
  • Hersteller: Eris
P3MBC011

TMMBC030

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30 / 65
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 37 / 90
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4 / -3
  • Hersteller: Eris
TMMBC030

S8MPC032A

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -6
  • Hersteller: Eris
S8MPC032A

TMMBB040

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 20 / -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40 /100
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 3,8 / -2,5
  • Hersteller: Eris
TMMBB040

S8MBC020A

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20 / 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30 / 46
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 7,5 / -6
  • Hersteller: Eris
S8MBC020A

P3MNC8P5

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNC8P5

TLMNB300

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 300
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 1,45
  • Hersteller: Eris
TLMNB300

D1MPG048

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 48
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 65
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -16
  • Hersteller: Eris
D1MPG048