Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 2556 Produkten angezeigt.

TPMNF16H

  • Package: SOT-323
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 55
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1600
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2500
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,32
  • Hersteller: Eris
TPMNF16H

TNMND045

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 45
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
TNMND045

S8MBG052

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52 / 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 75 / 105
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5,1 / -3,6
  • Hersteller: Eris
S8MBG052

T2MNT033

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 250
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 33
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
T2MNT033

P5MNC1P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1,4
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 254
  • Hersteller: Eris
P5MNC1P0

S8MND018

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 25
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
S8MND018

TNMNB230

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 230
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0,98
  • Hersteller: Eris
TNMNB230

A1MNM2P0

  • Package: TOLLA-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 300
  • Hersteller: Eris
A1MNM2P0

TNMPB460

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 460
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -0,64
  • Hersteller: Eris
TNMPB460

P3MNC4P5A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
P3MNC4P5A