Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

P3MPB9P0

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -50
  • Hersteller: Eris
P3MPB9P0

S8MND5P8

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7,8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
S8MND5P8

P5MND1P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 200
  • Hersteller: Eris
P5MND1P0

P5MNC0P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0,85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1,15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNC0P9

P3MNC2P6

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 90
  • Hersteller: Eris
P3MNC2P6

P3MPC032

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -14
  • Hersteller: Eris
P3MPC032

P5MNG3P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • Hersteller: Eris
P5MNG3P0

P5MNK012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 82
  • Hersteller: Eris
P5MNK012

D1MNC5P1

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 54
  • Hersteller: Eris
D1MNC5P1

LFMND0P7

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0,7
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 455
  • Hersteller: Eris
LFMND0P7