Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

S8MPC030

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 55
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -7
  • Hersteller: Eris
S8MPC030

T2MNM9P7

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,7
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 75
  • Hersteller: Eris
T2MNM9P7

P5MNM9P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 58
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P5

P3MBC011

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11 / 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 17,6 / 32
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30 / -20
  • Hersteller: Eris
P3MBC011

P6MNC9P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 12
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P6MNC9P0

S8MBC020A

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20 / 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30 / 46
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 7,5 / -6
  • Hersteller: Eris
S8MBC020A

S8MPC032A

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -6
  • Hersteller: Eris
S8MPC032A

S8MNG040

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 40
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 47
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5
  • Hersteller: Eris
S8MNG040

TNMPG114

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 114
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 130
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -2,4
  • Hersteller: Eris
TNMPG114

S8MPC017

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 17
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -10
  • Hersteller: Eris
S8MPC017