Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016

Es werden 10 von 2543 Produkten angezeigt.

P6MNC4P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,5 / 4,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14,5 / 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 43 / 85
  • Hersteller: Eris
P6MNC4P2

D1MNM047

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 47
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 22
  • Hersteller: Eris
D1MNM047

N8MNB013

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 9.9
  • Hersteller: Eris
N8MNB013

N8MPB028

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -8.5
  • Hersteller: Eris
N8MPB028

NDMNC010

  • Package: DFN5X6
  • Configuration: 4 IN 1
  • MOSFET Type: N+N+N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
NDMNC010

NEMNC018

  • Package: DFN6X6
  • Configuration: 6 IN 1
  • MOSFET Type: N+N+N+N+N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 23
  • Hersteller: Eris
NEMNC018

P3MNC012A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNC012A

P3MNC013

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
P3MNC013

P3MNC4P8

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 33
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6,9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 64
  • Hersteller: Eris
P3MNC4P8

P3MNC3P8

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
P3MNC3P8