1D Linear- / Stromsensoren

Produkt-Information

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80 Ergebnisse

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Part no. Output Type Current Range / Magnetic Field Range Operating Temperature Package Type Packing Method Package Quantity Sensor Type Resolution Flag Output Details
CT100LW-IS6

Differential ±20mT -40°C to +85°C SOT23 Tape & Reel 3000 Contactless n/a n/a mehr >>

CT100LW-HS6

Differential ±20mT -40°C to +125°C SOT23 Tape & Reel 3000 Contactless n/a n/a mehr >>

CT100LW-FS6

Differential ±20mT -40°C to +150°C SOT23 Tape & Reel 3000 Contactless n/a n/a mehr >>

CT100LW-ID6

Differential ±20mT -40°C to +85°C DFN Tape & Reel 3000 Contactless n/a n/a mehr >>

CT100LW-HD6

Differential ±20mT -40°C to +125°C DFN Tape & Reel 3000 Contactless n/a n/a mehr >>

CT100LW-FD6

Differential ±20mT -40°C to +150°C DFN Tape & Reel 3000 Contactless n/a n/a mehr >>

CT110FDC-ID6

Analog +5.0A DC / ±5.0A Peak -40°C to +85°C DFN Tape & Reel 3000 Contact 5mA Y mehr >>

CT110PDC-ID6

Analog +10.0A DC /±10.0A Peak -40°C to +85°C DFN Tape & Reel 3000 Contact 5mA Y mehr >>

CT110PDC-HD6

Analog +10.0A DC /±10.0A Peak -40°C to +125°C DFN Tape & Reel 3000 Contact 5mA Y mehr >>

CT110RMC-ID6

Analog ±15.0A Peak -40°C to +85°C DFN Tape & Reel 3000 Contact 5mA Y mehr >>

Tunnel-Magneto-Resistive Sensoren

Die TMR-Sensoren von Crocus basieren auf einer neuen Technologie zur Magnetfeldmessung. Der wesentliche Vorteil von TMR-Sensoren gegenüber Hall-Sensoren ist der geringe Stromverbrauch und die hohe Empfindlichkeit.

Die Basis der TMR-Sensoren bildet die sogenannte Magnetic Logic Unit (MLU). Die MLU ist ein Schichtsystem, dessen elektrischer Gesamtwiderstand quer zu den Schichten durch äußere magnetische Felder, welche parallel zu den Schichtebenen orientiert sind, beeinflusst werden kann.

Die Basis des Schichtsystems ist eine antiferromagnetische Schicht. Über dieser Schicht befindet sich eine so genannte gepinnte Schicht, eine ferromagnetische Schicht, die eine feste Magnetisierung in einer festen Richtung aufweist. Die Richtung dieser Magnetisierung definiert die Bezugsrichtung und kann nicht durch ein externes Feld verändert werden. Über dieser gepinnten Schicht befindet sich eine sehr dünne, isolierende Schicht mit einer Dicke von nur wenigen Nanometern. Über der Isolierschicht befindet sich weitere magnetische Schicht. Die Orientierung der Magnetisierung dieser so genannten freien Schicht kann durch ein externes Feld beeinflusst werden. Der Widerstand des gesamten Schichtstapels ist abhängig vom Winkel zwischen den Magnetisierungen der freien und der festen Schicht. Er kann durch Anlegen einer Spannung an leitende Elektroden an der Ober- und Unterseite des Stapels gemessen werden. Der Widerstand des Stapels variiert zwischen 10 kOhm und 60 kOhm. Dieser Widerstandsbereich der MLU ist wesentlich höher als bei anderen magnetoresistiven Technologien wie AMR (Anisotropic Magnetic Resistance) und GMR (Giant Magneto Resistance). Das zur Rotation der Magnetisierung der freien Schicht notwendige Feld ist recht klein. Die meisten TMR-Sensoren arbeiten unter 10 mT, einige sogar unter 1 mT.

Grundsätzlich kann diese Technologie zur Herstellung von magnetischen Schaltern oder Magnetfeldsensoren mit analogem Ausgang verwendet werden. Bei magnetischen Schaltern wird der Strom durch die MLU gemessen und ein Komparator schaltet den Ausgang des Sensors abhängig von festen internen Schaltschwellen auf high oder low.

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