Flash

Produkt-Information

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58 Ergebnisse

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Part no. Package Manufacturer Density Type Voltage [V] Status Details
GD25D05B

SOP8, TSSOP8, USON8 GigaDevice 512 kb SPI Flash 2.7-3.6 MP mehr >>

GD25D10B

SOP8, TSSOP8, USON8 GigaDevice 1 Mb SPI Flash 2.7-3.6 MP mehr >>

GD5F1GQ4RCYIG

WSON8 GigaDevice 1 Gb SPI NAND Flash 1.7V-2.0V MP mehr >>

GD25Q41B

SOP8, TSSOP8, USON8 GigaDevice 4 Mb SPI Flash 2.7-3.6 MP, NR mehr >>

GD25Q80C

SOP8, WSON8, USON8 GigaDevice 8 Mb SPI Flash 2.7-3.6 MP mehr >>

GD25Q16C

SOP8, WSON8, USON8 GigaDevice 16 Mb SPI Flash 2.7-3.6 MP, R mehr >>

GD25Q32C

SOP8, DIP8, WSON8, USON8, TFBGA GigaDevice 32 Mb SPI Flash 2.7-3.6 MP, R mehr >>

GD25Q64C

SOP8, SOp16, DIP8, WSON8, TFBGA GigaDevice 64 Mb SPI Flash 2.7-3.6 MP, R mehr >>

GD25Q127C

SOP8, SOP16, VSOP8, WSON8, DIP8, TFBGA GigaDevice 128 Mb SPI Flash 2.7-3.6 MP, R mehr >>

GD25Q128C

SOP8, SOP16, VSOP8, WSON8, DIP8, TFBGA GigaDevice 128 Mb SPI Flash 2.7-3.6 MP, NR mehr >>

Parallel
Eigenschaften

  • Flash Speichergröße: 512 kb … 256 Mb
  • Organisation: x8 und x16
  • Niedriger Bereitschafts- und Betriebsstrom
  • Schnelle Zugriffszeit: 45 ns, 55 ns, 70 ns
  • Industrieller Temperaturbereich: -40 … +85°C
  • Niedrige Versorgungsspannung: 1,8 V, 3,3 V
  • Flashes mit sehr kleinen Sektoren ( Pages 128/256-Byte)
  • Schreiben und Lesen zur gleichen Zeit
  • Boot Block über Softwarebefehl
  • Alle Gehäusevarianten lieferbar

SPI
Eigenschaften
  • Low Power serial FLASH: 512Kb bis 256Mb
  • Organisation: SPI bus
  • sehr niedriger Bereitschafts- und Betriebsstrom
  • schnelle Zugriffszeit: 25, 50, 75 und 100MHz
  • industrieller Temperaturbereich: -40 … +85°C
  • niedrige Versorgungsspannung: 1,8 V, 3,3 V
  • lieferbare Gehäusevarianten: SOIC-8, WSON-8

Halbleiter_EON_Logo_DE
Halbleiter_ESMT_Logo_DE
Halbleiter_Fidelix_Logo_DE
Halbleiter_GigaDevice_Logo_DE
Eon Silicon Solution Inc. wurde im April 2016 von ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.) übernommen. Die Produkte werden von ESMT weitergeführt.

http://www.esmt.com.tw
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.('ESMT'), ist ein in Taiwan beheimatetes IC design Haus, ohne eigene Fertigung. ESMT entwickelt und vertreibt ein weites Spektrum an Speichern, wie (16Mb bis zu 2Gb ) DRAM, sowie SPI ,-und Nandflash bis zu 4Gb Speichergrösse. Die Hauptapplikationen sind Kommunikations- und Konsumerprodukte sowie der Industriemarkt.

http://www.esmt.com.tw/english/main_products.asp
Fidelix Co,. Ltd., ist ein in Korea beheimatetes Unternehmen ohne eigene Produktion. Der Schwerpunkt liegt in der Entwicklung leistungsfähiger und kostengünstiger Speicherlösungen. Der Fokus liegt dabei auf PSRAMs (Async, Burst, and A/D Mux), Low Power SDRAMs, Low Power DDR SDRAMs und Speicher für mobile Anwendungen

http://www.fidelix.co.kr
GidaDevice, 2004 gegründet, ist ein chinesischer Hersteller ohne eigene Fertigung mit dem Fokus auf 3,3V und 1,8V SPI Flash (in einigen Bereichen mit Zusatzfunktionen wie z.B. Pagemodefunktionen.) GidaDevice hat eine breite Palette an schnellen und verlustarmen NOR- und NAND- Flash Speichern.

http://us.gigadevice.com

Technischer Ansprechpartner

Dietmar Kinn
Fon: +49 7452 6007 21
Fax: +49 7452 6007 821
d.kinn@endrich.com