Transient Voltage Suppressor Diode (TVSD)
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| Part no. | Manufact. | Package | Stand-Off Voltage [Vwm] | Breakdown Voltage [Vbr] | Clamping Voltage [Vc] | Capacitance [pF] | Peak Pulse Power [W] | Application | Lines | Automotive Qualified | Details |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMF58A
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Eris | SOD-123S | 58 | 64.40 | 93.6 | 200 |
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SMF58CA
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Eris | SOD-123S | 58 | 64.40 | 93.6 | 200 |
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SMF6.0A
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Eris | SOD-123S | 6 | 6.67 | 10.3 | 200 | 4 |
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SMF6.0CA
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Eris | SOD-123S | 6 | 6.67 | 10.3 | 200 |
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SMF6.5A
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Eris | SOD-123S | 6.5 | 7.22 | 11.2 | 200 | 1 |
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SMF6.5CA
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Eris | SOD-123S | 6.5 | 7.22 | 11.2 | 200 |
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SMF60A
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Eris | SOD-123S | 60 | 66.70 | 96.8 | 200 |
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SMF60CA
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Eris | SOD-123S | 60 | 66.70 | 96.8 | 200 |
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SMF64A
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Eris | SOD-123S | 64 | 71.10 | 103.0 | 200 |
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SMF64CA
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Eris | SOD-123S | 64 | 71.10 | 103.0 | 200 |
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Transient Voltage Suppressor Diodes et les Diodes de direction sont des composants de protection à base de silicium.
Etant donnés leur temps de réponse très court et leur limitation de tension exacte, elles conviennent très bien pour la protection des semiconducteurs.
De même, la faible capacité de ces composants permet la protection des lignes de transmission de données à grande vitesse comme Ethernet. Leur petit boîtier représente un gain de place sur le circuit imprimé.
Caractéristiques principales
- Boîtier de taille 0201 et plus
- Tension de 1VDC à 513VDC
- Disponible en traversant et en CMS
- Modèles spéciaux avec 0.1pF pour applications RF
- Combinaisons Réseau Diode roue libre/ TVS disponibles
- Conforme REACH/RoHS
Pour tout renseignement, n'hésitez pas à appeler le 02 41 80 19 87. Mme Brigitte Vogt, e-mail b.vogt@endrich.com se fera un plaisir de répondre à vos demandes.
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contact technique
Mike Kiraly
Fon: +49 7452 6007 63
Fax: +49 7452 6007 863
m.kiraly@endrich.com_
