Fotodiodi e fototransistori

I fotodiodi e fototransistori di silicio sono sensibili alle radiazioni nella zona da 400 nm fino a 1100 nm.Dato che la maggiore sensibilità si trova intorno ai 880 nm, i componenti di silicio sono particolarmente idonei per scoprire i raggi infrarossi.
Fotodiodi e fototransistori possono essere forniti color nero con rivestimento in resina di epossido, il che riduce la sensibilità nello spettro visibile. Per operazioni lenti di commutazione ottica si usano generalmente fototransistori, mentre per applicazioni di misurazione o per la trasmissione rapida di dati si utilizzano fotodiodi.

Proprietà

• Disponibili in SMD o con pin
• Direzione di ricezione in su, in giù o laterale
• Angolo di apertura: +/-20˚ … +/-80˚
• Con o senza filtro per luce diurna
• Disponibili anche fototransistori con due chip
• Disponibili chip di fotodiodi con superficie grande, saldabili o array di fotodiodi per applicazioni sensoriali speciali

Applicazioni per fotodiodi

• Transmissioni rapide di dati
• Apparecchiature di misurazione ottica
• Tende di luce

 Applicazioni per fototransistori

• Commutatori ottici (p. es. barriere di luce)
• Sensori chiaro-scuro
• Transmissione semplice di dati a bassa velocità
• Transmissioni rapide di dati
• Apparecchiature di misurazione ottica
• Tende di luce
• Disponibili in SMD o con pin
• Direzione di ricezione in su, in giù o laterale
• Angolo di apertura: +/-20˚ … +/-80˚
• Con o senza filtro per luce diurna
• Disponibili anche fototransistori con due chip
• Disponibili chip di fotodiodi con superficie grande, saldabili o array di fotodiodi per applicazioni sensoriali speciali