Fototranzisztorok és fotodiódák

A szilikon félvezető alapú foto-tranzisztorok és fotodiódák 400nm és 1100nm közötti hullámhosszú fény detektálására alkalmasak. Maximális érzékenységgel 880nm körül rendelkeznek, az infra tartomány különösen jól érzékelhető félvezető alapú komponensekkel. A foto-tranzisztorok és fotodiódák fekete epoxi borítással kerülnek forgalomba, ami biztosítja a nem kívánt spektrumú, elsősorban a látható sugárzás kiszűrését. LAssú optikai kapcsoló alkalmazásokhoz foto-tranzisztorokat, még nagy sebességű méréstechnikai és adatátviteli megoldásokhoz fotodiódákat használnak.

Tulajdonságok

• SMD vagy hagyományos kivitelek
• oldal-, felül-, illetve alulérzékelő típusok
• Érzékenység szöge : +/- 20° ...+/- 80°
• Látható fény kiszűrésére alkalmas borítással, vagy anélkül.
• 2 chipet tartalmazó foto-tranzisztorok is kaphatók
• forrasztható fotodióda chipek és fotodióda mátrixok nagy választékban kaphatóak speciális szenzor funkciókhoz.

Felhasználások fotodiódák számára

• gyors infra adatátviteli rendszerek
• optikai mérőberendezések
• fénysorompók

Felhasználások foto-tranzisztorok számára

• optikai kapcsolók, fénysorompók
• sötétség / világosság szenzorok
• alacsony sebességű optikai adatátviteli eszközök

További információ és lokális támogatás nyújtásához jelentkezését és kérdéseit várja magyarországi referensünk : Kiss Zoltán okl. villamosménök Tel.: (1) 297-4191 E-mail :