Fotodiodos y Fototransistores

Los fotodiodos y fototransistores de silicio son sensibles en la zona de 400 nm hasta 1100 nm.
Dado que la mayor sensibilidad está en los 880 nm, los rayos infrarrojos pueden ser detectados especialmente bien por los componentes de silicio.
Fotodiodos y fototransistores se pueden suministrar en resina de epóxit negra, la cual reduce la sensibilidad en el espectro visible. Para aplicaciones de conmutación lentas se usan generalmente fototransistores, mientras que en aplicaciones de medición o para transmisiones rápidas de datos se utilizan fotodiodos.

Propiedades

• Disponibles en SMD o con pines
• Dirección de recepción hacia arriba, abajo o lateral
• Angulo de apertura: +/-20˚ … +/-80˚
• Con o sin filtro de luz natural
• Disponibles fototransistores con dos chips
• Disponibles chips de fotodiodos con gran superficie, soldables o arrays de fotodiodos para aplicaciones especiales

Aplicaciones de Fotodiodos

• Transmisiones rápidas de datos
• Aparatos de medición ópticos
• Cortinas de luz

Aplicaciones para fototransistores

• Conmutadores ópticos (p. e. Barreras de luz)
• Sensores claro-oscuro
• Transmisión simple de datos de baja velocidad

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