WELTNEUHEIT - Pseudo SRAM's x8 organisiert

ESMT (Elite Semiconductor) stellt eine neue speziellen Low Power Pseudo SRAMs vor. Diese sogenannten CE-SRAMs (Cost Effective) werden erstmalig für eine 8-bit Anbindung angeboten.
In den Kapazitäten 2Mb (256 Kb x 8) und 4 Mb (512 Kb x 8) sind die Bausteine absolut asynchron kompatibel, so dass sie traditionelle SRAMs ersetzen können. Der Spannungsbereich 2.7~3.6 V, Temperaturbereich -40~+85 °C und 55 ns schnell entspricht Standard SRAM Speicher Parameter. Der Standby Strom (Isb2) ist mit typisch 9 µA bzw. 17 µA spezifiziert. Als Gehäuse wird ein 36-VFBGA angeboten, ein 32-TSOP2 ist nur bei größeren Liefermengen gegen Absprache erhältlich.

Auf Kundenwunsch kann auch ein 1 Mb x 8 (128 Kb x 8) bzw. 1 Mb x 16 (64 Kb x 16) produziert werden, auch in anderen Gehäusen wie z.B. SOP, TSOP, BGA usw. Die gewünschte Liefermenge ist hier ausschlaggebend. Der alles entscheidende Vorteil für den Anwender ist der Preis, die CE-SRAMs sind sind auf Grund ihrer Konstruktion wesentlich preiswerter als herkömmliche SRAMs.