Photodioden und Phototransistoren

Photodioden und Phototransistoren aus Silizium
sind empfindlich für Strahlung im Bereich 400 nm bis 1100 nm.
Da die maximale Empfindlichkeit bei ca. 880 nm liegt, wird
Infrarotstrahlung durch Siliziumbauteile besonders gut detektiert.
Photodioden und -transistoren sind mit schwarzem
Epoxidharzverguss lieferbar, welcher die Em pfindlichkeit
im sichtbaren Spektralbereich unterdrückt. Für langsame
optische Schalteranwendungen werden in der Regel Phototransistoren
eingesetzt, während bei Messapplikationen
oder bei schnellen Datenübertragungen Photodioden ver -
wen det werden.

Eigenschaften

• SMD oder bedrahtet verfügbar
• Empfangsrichtung nach oben, unten, seitlich
• Öffnungswinkel: +/-20˚ … +/-80˚
• mit oder ohne Tageslichtfilter
• auch Phototransistoren mit zwei Chips verfügbar
• großflächige, lötbare Photodiodenchips oder Photodiodenarrays für spezielle Sensorapplikationen verfügbar

Applikationen für Photodioden

• schnelle Infrarot-Datenübertragung
• optische Messgeräte
• Lichtvorhänge

Applikationen für Phototransistoren

• optische Schalter (z. B. Lichtschranken)
• hell-dunkel-Sensoren
• einfache Datenübertragung mit geringen Datenübertragungsraten